装置詳細

NbNジョセフソン素子作製装置

NbNジョセフソン素子作製装置IMG
名称 NbNジョセフソン素子作製装置
メーカー  
課金額 単価表(https://unit.aist.go.jp/tia-co/orp/index.html)をご参照ください。
※課金係数1でご利用の場合
導入年月日  
仕様 交流高電圧によりN2(またはAr)プラズマを発生させて成膜材料へ衝突させることにより、基板へNbN(またはNb)の超伝導薄膜をスパッタします。TiN(またはTi)の常伝導膜との組み合わせでSNS型のジョセフソン接合を作製できます。PCにより自動で逐次多層成膜することができます。真空システムと基板搬送は手動操作です。
・型式:EVP-30751
・装置形態:スパッタチャンバー x 1 + ロードロック室
・スパッタ源:6inchRFマグネトロン x 3式
・スパッタ電源:RF電源 最大出力600W
・基板サイズ:Φ3inchウェハ、Φ2inchウェハ
・基板加熱機構:故障中(修理予定なし)
・基板冷却機構:なし
・イオンビームで基板クリーニング可能。
・ターゲット-基板間距離:40~80mm (ユーザー変更不可)
・到達真空度:1.4 x 10-4 Pa以下
・使用ガス:Ar, N2
・PCによる自動成膜(Webによる遠隔モニタ機能有)
・成膜可能材料:NbN, Nb, Ti, TiN, Al (Alは暫定のため予告なく変更の可能性あり)
・成膜時間:NbN 76nm/min 例)SNSジョセフソン接合の積層膜に2時間
備考 ・設置場所:2-12棟131クリーンルーム内。
・使用可能サンプル:清浄ベア基板または所定の洗浄プロセスにて処理された基板。
・成膜可能な基板サイズ:3、2inchウェハと20mm角基板。
・ターゲット材料は暫定のためNb以外は予告なく変更する可能性あり。
・実際の利用に当たっては装置管理者の指示に従うこと。

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