装置詳細

ICP型反応性イオンエッチング装置

ICP型反応性イオンエッチング装置IMG
名称 ICP型反応性イオンエッチング装置
メーカー  
課金額 単価表(https://unit.aist.go.jp/tia-co/orp/index.html)をご参照ください。
※課金係数1でご利用の場合
導入年月日  
仕様 有磁場ICP(Inductively Coupled Plasma)型高密度プラズマエッチング装置。低パワーでも安定・均一なプラズマが得られ、ダメージの少ないエッチングが可能。プラズマ密度と基板への入射エネルギーを独立に制御可能。ロードロック付き。ウェハは自動搬送。枚葉式処理。タッチパネル制御。エッチングレシピ登録可能。エッチングログ保存機能。
・型式:ULVAC CE-300I
・装置形態:エッチング室 x 1 + ロードロック室
・電源:最大出力1000 W(アンテナ部)、300 W(バイアス部)
・最大基板サイズ:Φ3inchウェハ
・チップ状試料の場合はトレイ処理が可能
・基板保持機構:静電チャックおよびHeガス冷却機構
・電極水冷用チラー
・エッチングガス圧: 0.07-13.3 Pa
・到達真空度:5 x 10-4 Pa以下
・TMPおよびドライポンプで排気
・使用ガス:SF6, CF4, C4F8, O2
・エッチング終点検出可能。
・主にエッチングしている材料:Mo, TiN, NbN, Si
・Moのエッチングレート: 30 nm/min
備考 ・設置場所:2-12棟1131クリーンルーム内。
・使用可能サンプル:清浄ベア基板または所定の洗浄プロセスにて処理された基板。
・エッチング可能な基板サイズ:3 inchウェハ。その他の基板サイズの場合はご相談ください。
・実際の利用に当たっては装置管理者の指示に従うこと。

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