装置詳細

反応性イオンエッチング装置Samco-I

反応性イオンエッチング装置Samco-IIMG
名称 反応性イオンエッチング装置Samco-I
メーカー  
課金額 単価表(https://unit.aist.go.jp/tia-co/orp/index.html)をご参照ください。
※課金係数1でご利用の場合
導入年月日  
仕様 本装置は、プラズマリアクティブイオンエッチング法により高密度エッチングが可能です。主にSiO2膜のエッチングを目的としています。ロードロック室を装備しているため再現性よくエッチングが出来ます。操作はレシピを作成、登録しタッチパネルによる全自動運転です。

・型式:SAMCO RIE200L
・主なエッチング材料:SiO2
・ウエハサイズ:3inchウエハ
・使用ガス:CF4,CHF3,O2
・エッチングレート:SiO2=18nm/min
・面内均一性:5%以下
・反応室到達真空度:4×10-5Pa
・基板冷却機構:水冷
・ウエハトレー:石英
・エッチング終点検出:なし
備考 ・設置場所:2-12棟1131クリーンルーム内。
・使用可能サンプル:清浄ベア基板または所定の洗浄プロセスにて処理された基板。
・エッチング可能な基板サイズ:3 inchウェハ。その他の基板サイズの場合はご相談ください。
・実際の利用に当たっては装置管理者の指示に従うこと。

PAGE TOP