装置詳細

アッシング装置

アッシング装置IMG
名称 アッシング装置
メーカー  
課金額 単価表(https://unit.aist.go.jp/tia-co/orp/index.html)をご参照ください。
※課金係数1でご利用の場合
導入年月日  
仕様 目的:ウエハークリーニング
方式:酸素プラズマ
試料:シリコンウエハー
試料サイズ:175mm×200mm以下
典型的プロセス時間:約15分(5分程度のプラズマ処理の場合)
特徴:平行平板電極型(ダイレクトプラズマモード、RIEモード選択可能)
備考 ・設置場所:2-12棟1131室クリーンルーム内。
・使用可能サンプル:表面に非磁性無機材料またはフォトレジストが成膜されたシリコン基板(ベアシリコン基板含む)。
・処理可能な基板サイズ:6"φ以下。
・実際の利用に当たっては装置管理者の指示に従うこと。

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