装置詳細

絶縁膜作製装置

絶縁膜作製装置IMG
名称 絶縁膜作製装置
メーカー  
課金額 単価表(https://unit.aist.go.jp/tia-co/orp/index.html)をご参照ください。
※課金係数1でご利用の場合
導入年月日  
仕様 交流高電圧によりArプラズマを発生させて成膜材料へ衝突させることにより、基板へSiO2膜を自動でスパッタします。基板を回転させることによりカバレッジと均一性を改善します。ロードロック室付きなので基板交換を効率よく迅速に行えます。基板搬送は手動操作です。
・型式:M98-0021
・装置形態:スパッタチャンバー x 1 + ロードロック室
・スパッタ源:6inchRFマグネトロン x 1式
・スパッタ電源:RF電源 最大出力1000W (800Wで使用中)
・基板サイズ:Φ3inchウェハ、Φ2inchウェハ
・基板加熱機構:なし
・基板冷却機構:あり
・逆スパッタで基板クリーニング可能。
・ターゲット-基板間距離:40~80mm (ユーザー変更不可)
・到達真空度:1.4 x 10-7 Torr以下
・使用ガス:Ar
・PCによる自動成膜(Webにより進捗状況を遠隔モニター可能、ただし遠隔操作は不可)
・成膜可能材料:SiO2
・成膜時間:6nm/min 例)400nm成膜に試料の搬入出も含めて約2時間
備考 ・設置場所:2-7棟113クリーンルーム内。
・使用可能サンプル:清浄ベア基板または所定の洗浄プロセスにて処理された基板。
・成膜可能な基板サイズ:標準で3、2inchウェハを用意、ユーザーがホルダを用意することにより任意のサイズに対応事例あり。
・実際の利用に当たっては装置管理者の指示に従うこと。

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