装置詳細

化学的機械研磨装置1(CMP1)

化学的機械研磨装置1(CMP1)IMG
名称 化学的機械研磨装置1(CMP1)
メーカー  
課金額 単価表(https://unit.aist.go.jp/tia-co/orp/index.html)をご参照ください。
※課金係数1でご利用の場合
導入年月日  
仕様 試料を研磨パッドに押し付け、そこに研磨液を供給することにより、試料表面を物理的および化学的に削りとります。
その結果、表面の凹凸が平坦化されます。
・型式:LGP510
・材料:主にSiO2と金属(例:NbN)、それ以外も可
・荷重:0-150 kg, 0.1 kg刻み
・研磨パッド回転速度:0-200 rpm, 0.1 rpm刻み
・研磨液供給2系統
・1回の供給量 0-20 cm3
・一工程のおよその時間:10 min.
備考 ・設置場所:2-7棟113室内。
・使用可能サンプル:清浄ベア基板または所定の洗浄プロセスにて処理された基板。
・成膜可能な基板サイズ:標準で3inch径および20 mm×20 mmウェハを用意、ユーザーがテンプレートを用意することにより4 inch径以下の任意サイズに対応事例あり。
・実際の利用に当たっては装置管理者の指示に従うこと。

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