装置詳細

Nb-Alジョセフソン接合作製装置[標準型]

Nb-Alジョセフソン接合作製装置[標準型]IMG
名称 Nb-Alジョセフソン接合作製装置[標準型]
メーカー  
課金額 単価表(https://unit.aist.go.jp/tia-co/orp/index.html)をご参照ください。
※課金係数1でご利用の場合
導入年月日  
仕様 本装置は、ロードロック室、酸化室、ALスパッタ室、Nbスパッタ室の4チャンバーで構成され、真空状態でウエハを搬送させ多層膜を形成するこが可能です。酸化室ではRF逆スパッタにより必要に応じてウエハ表面のクリーニングも出来ます。チャンバー間の移動は自動操作可能です。

・スパッタ方式:DCスパッタ
・スパッタレート:Nb=78nm/min AL=15nm/min
・ウエハ冷却(酸化室):22℃
・酸化ガス:Ar・O2
・到達真空度:5×10-8Torr
・最大基板サイズ:Φ3inchウェハ
・基板保持機構:水冷
・ターゲット-基板間距離:50~200mm
・膜厚分布:±5%
・使用ガス:Ar, Ar/O2
・成膜時間制御用タイマー付き。
・成膜可能材料:Nb,Al
備考 ・設置場所:2-12棟1131クリーンルーム内。
・使用可能サンプル:ベアまたは表面に非磁性材料の成膜された洗浄済みウエハ、レジスト付着物は不可。
・実際の利用に当たっては装置管理者の指示に従うこと。

PAGE TOP