イノベーション創出機器共用プラットフォーム(IBEC)

装置詳細

名称	Nb-Alジョセフソン接合作製装置[標準型]
メーカー
課金額	単価表(https://unit.aist.go.jp/tia-co/orp/index.html)をご参照ください。 ※課金係数１でご利用の場合
導入年月日
仕様	本装置は、ロードロック室、酸化室、ALスパッタ室、Nbスパッタ室の4チャンバーで構成され、真空状態でウエハを搬送させ多層膜を形成するこが可能です。酸化室ではRF逆スパッタにより必要に応じてウエハ表面のクリーニングも出来ます。チャンバー間の移動は自動操作可能です。・スパッタ方式:DCスパッタ・スパッタレート:Nb=78nm/min AL=15nm/min ・ウエハ冷却(酸化室):22℃ ・酸化ガス:Ar・O2 ・到達真空度:5×10-8Torr ・最大基板サイズ:Φ3inchウェハ・基板保持機構:水冷・ターゲット-基板間距離:50～200mm ・膜厚分布:±5% ・使用ガス:Ar, Ar/O2 ・成膜時間制御用タイマー付き。・成膜可能材料:Nb,Al
備考	・設置場所:2-12棟1131クリーンルーム内。・使用可能サンプル:ベアまたは表面に非磁性材料の成膜された洗浄済みウエハ、レジスト付着物は不可。・実際の利用に当たっては装置管理者の指示に従うこと。