装置詳細

極端紫外光光電子分光装置(EUPS)

極端紫外光光電子分光装置(EUPS)IMG
名称 極端紫外光光電子分光装置(EUPS)
メーカー 産総研自主開発
課金額 18,900円/時間(成果公開/技術代行の場合)
※課金係数1でご利用の場合
導入年月日 2008/06/02(月)
仕様 産総研自主開発:レーザー生成プラズマを用いて生成したパルスEUV光を試料を照射した際に放出される光電子のエネルギーを計測することにより、試料最表面(0.5 nm程度)の電子状態を分析する装置。絶縁物、導体表面からの光電子のエネルギースペクトルのシフトから、試料表面の汚染状態を評価する、世界で唯一の表面分析装置。

●EUV光子エネルギー:255.17 eV
●EUV光子スペクトル幅 ~0.1 eV
●EUVパルス幅:3 nsec
●試料上ビーム径:50~100 μm
●絶縁薄膜、有機薄膜を帯電させること無く測定可能
測定可能な物理量
●バンド曲がり
●二次電子スペクトルで真空準位
●ナノ粒子表面の汚染度
●電子雲の傾斜角(π、σ電子識別)
原理、測定例をEUPSのHP (http://staff.aist.go.jp/t-tomie/EUPS)で紹介
※原則として「技術代行」または「技術補助」でのご利用となります。「機器利用」については装置担当者とご相談下さい。
備考 原理、測定例をEUPSのHP (http://staff.aist.go.jp/t-tomie/EUPS)で紹介

この装置のご利用に関するお問い合わせは
ancf-contact-ml(@)aist.go.jp
までお願い致します。

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