装置詳細

セミオートディベロッパー

セミオートディベロッパーIMG
名称 セミオートディベロッパー
メーカー ソフエンジニアリング
課金額 単価表(https://unit.aist.go.jp/tia-co/orp/index.html)をご参照ください。
※課金係数1でご利用の場合
導入年月日 2012/09/01(土)
仕様 本装置は露光後のレジスト現像を行うセミオートデベロッパーです。本装置は、
従来型のスプレー現像・エッチング処理方式ではパターン倒壊を招くような
極微細かつアスペクト比の高いレジストパターンの現像・エッチングに対応
しています。窒素ガスを使用した2流体ノズルスプレーを備えています。
●現像液:TMAH2.38%(NMD-W, MF319,MF450等可能)
●乾燥:窒素ブロー
●対応ウェハーサイズ:3,4inch(排他使用)
●現像可能レジスト:PFI-68,26, ZPN1150, NPR9700。
備考 導入年月日:2012年
●利用可能なサンプル:清浄ベア基板または所定の洗浄プロセスにて処理された基板。
●プロセス可能な基板サイズ:3,4inchウェハ
●実際の利用に当たっては装置管理者の指示に従うこと。

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