装置詳細

Nb-Alジョセフソン接合作製装置[In-situ分析器&オゾン酸化器付]

Nb-Alジョセフソン接合作製装置[In-situ分析器&オゾン酸化器付]IMG
名称 Nb-Alジョセフソン接合作製装置[In-situ分析器&オゾン酸化器付]
メーカー 日本シード研究所
課金額 単価表(https://unit.aist.go.jp/tia-co/orp/index.html)をご参照ください。
※課金係数1でご利用の場合
導入年月日 1993/01/01(金)
仕様 直流高電圧によりArプラズマを発生させて成膜材料へ衝突させることにより、基板へ均質緻密な膜をスパッタします。ロードロック室付きなので基板交換を効率よく迅速に行えます。2種類の材料を逐次多層成膜することができます(手動)。真空システムと基板搬送は手動操作です。
●型式:M93-0012
●装置形態:スパッタチャンバー x 2 + ロードロック室
●スパッタ源:6inchDCマグネトロン x 2式(各スパッタ室に1つ)
●スパッタ電源:DC電源 最大出力1.5kW(各スパッタ源と排他的に接続)
●電力コントロール:アーキング防止機能付き
●RF電源:最大出力500W
●最大基板サイズ:Φ3inchウェハ
●基板保持機構:水冷
●1つの成膜チャンバー内で逆スパッタ可能。
●ターゲット-基板間距離:50~200mm
●膜厚分布:±5%以内@100~200nm, Nb成膜時@Φ2inch内
●到達真空度:5 x 10-6 Pa以下
●成膜時Ar圧力:0.113~2Pa, コントロール精度:0.013Pa以下
●使用ガス:Ar, O2
●成膜時間制御用タイマー付き。
●成膜可能材料:Nb,Al
備考 ●使用可能サンプル:清浄ベア基板または所定の洗浄プロセスにて処理された基板。
●成膜可能な基板サイズ:3、2inchウェハと15,20mm角基板。
●実際の利用に当たっては装置管理者の指示に従うこと。

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