装置詳細
Nb-Alジョセフソン接合作製装置[In-situ分析器&オゾン酸化器付]
![Nb-Alジョセフソン接合作製装置[In-situ分析器&オゾン酸化器付]IMG](/ibec/private/file/open-image/2/name/100422115516-7494.jpg)
名称 | Nb-Alジョセフソン接合作製装置[In-situ分析器&オゾン酸化器付] |
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メーカー | 日本シード研究所 |
課金額 | 単価表(https://unit.aist.go.jp/tia-co/orp/index.html)をご参照ください。 ※課金係数1でご利用の場合 |
導入年月日 | 1993/01/01(金) |
仕様 | 直流高電圧によりArプラズマを発生させて成膜材料へ衝突させることにより、基板へ均質緻密な膜をスパッタします。ロードロック室付きなので基板交換を効率よく迅速に行えます。2種類の材料を逐次多層成膜することができます(手動)。真空システムと基板搬送は手動操作です。 ●型式:M93-0012 ●装置形態:スパッタチャンバー x 2 + ロードロック室 ●スパッタ源:6inchDCマグネトロン x 2式(各スパッタ室に1つ) ●スパッタ電源:DC電源 最大出力1.5kW(各スパッタ源と排他的に接続) ●電力コントロール:アーキング防止機能付き ●RF電源:最大出力500W ●最大基板サイズ:Φ3inchウェハ ●基板保持機構:水冷 ●1つの成膜チャンバー内で逆スパッタ可能。 ●ターゲット-基板間距離:50~200mm ●膜厚分布:±5%以内@100~200nm, Nb成膜時@Φ2inch内 ●到達真空度:5 x 10-6 Pa以下 ●成膜時Ar圧力:0.113~2Pa, コントロール精度:0.013Pa以下 ●使用ガス:Ar, O2 ●成膜時間制御用タイマー付き。 ●成膜可能材料:Nb,Al |
備考 | ●使用可能サンプル:清浄ベア基板または所定の洗浄プロセスにて処理された基板。 ●成膜可能な基板サイズ:3、2inchウェハと15,20mm角基板。 ●実際の利用に当たっては装置管理者の指示に従うこと。 |