装置詳細

反応性イオンエッチング装置Samco-III

反応性イオンエッチング装置Samco-IIIIMG
名称 反応性イオンエッチング装置Samco-III
メーカー サムコ株式会社
課金額 単価表(https://unit.aist.go.jp/tia-co/orp/index.html)をご参照ください。
※課金係数1でご利用の場合
導入年月日 2010/01/01(金)
仕様 この装置は反応性ガス(CF4,SF6,O2)を高周波電界中で活性化し、これにより生じたラジカル●イオンをエッチャントとして利用して材料表面を削るものです。基板に高周波電圧を印加する方式により、加速されたイオンが基板に対して垂直方向に入射してエッチングを進めるのでパターンの微細化に有効です。
●型式:RIE-10NR
●最大基板サイズ:Φ8inchウェハ
●放電方式:容量結合方式(CCP)
●高周波電界:周波数13.56MHz(水晶発振制御)、最大300W
●電界制御:インピーダンスオートマッチング
●反応ガス:CF4,SF6,O2
●パージガス:N2
●基板冷却:水冷
●エッチング可能材料:Nb,Ta,W,NbN等
備考 ●エッチング可能サンプル:清浄ベア基板または所定の洗浄プロセスにて処理された基板。
●現時点でエッチング可能な基板サイズ:8inchウェハと4inch以下のサイズのウェハおよび小形基板。
●実際の利用に当たっては装置管理者の指示に従うこと。

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