装置詳細
【NPF026】RF・DCスパッタ装置(ULVAC)

名称 | 【NPF026】RF・DCスパッタ装置(ULVAC) |
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メーカー | アルバック |
課金額 | 2018年度単価表 |
導入年月日 | |
仕様 | この装置は、スパッタリング現象を利用して、薄膜を作製するためのものです。 マグネトロンカソードを4インチ3式、3インチ1式装備しています。 構成は、RF用非磁性3インチ×1、非磁性4インチ×1およびDC用非磁性4インチ×1、強磁性4インチ×1となっております。 積層成膜、RF/DCの同時放電が可能となっており、この搭載されているRF電源において、基板バイアスの印加も可能となっています。 基板加熱機構を有しており、最高加熱温度は500℃までとなります。 3インチRFマグネトロンスパッタ源×1式(非磁性) 4インチRFマグネトロンスパッタ源×1式(非磁性) 4インチDCマグネトロンスパッタ源×1式(非磁性) 4インチDCマグネトロンスパッタ源×1式(強磁性) 計4カソード スパッタ電源:RF電源×1台(1kW)、DC電源×1台(2kW) 基板テーブル:回転加熱逆スパッタテーブル方式 基板寸法と間隔:寸法・200mm以下 ターゲット-基板間隔:120mm 加熱温度:最大500℃ 膜厚分布:±5%以内(φ180mm範囲内) 到達真空度:3.5×10E-5Pa プロセスガス:Ar、O2、N2 パージガス:窒素ガス |