装置詳細

【NPF026】RF・DCスパッタ装置(ULVAC)

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名称 【NPF026】RF・DCスパッタ装置(ULVAC)
メーカー アルバック
課金額 2018年度単価表
導入年月日  
仕様 この装置は、スパッタリング現象を利用して、薄膜を作製するためのものです。
マグネトロンカソードを4インチ3式、3インチ1式装備しています。
構成は、RF用非磁性3インチ×1、非磁性4インチ×1およびDC用非磁性4インチ×1、強磁性4インチ×1となっております。
積層成膜、RF/DCの同時放電が可能となっており、この搭載されているRF電源において、基板バイアスの印加も可能となっています。
基板加熱機構を有しており、最高加熱温度は500℃までとなります。

3インチRFマグネトロンスパッタ源×1式(非磁性)
4インチRFマグネトロンスパッタ源×1式(非磁性)
4インチDCマグネトロンスパッタ源×1式(非磁性)
4インチDCマグネトロンスパッタ源×1式(強磁性)
計4カソード
スパッタ電源:RF電源×1台(1kW)、DC電源×1台(2kW)
基板テーブル:回転加熱逆スパッタテーブル方式
基板寸法と間隔:寸法・200mm以下 ターゲット-基板間隔:120mm
加熱温度:最大500℃
膜厚分布:±5%以内(φ180mm範囲内)
到達真空度:3.5×10E-5Pa プロセスガス:Ar、O2、N2 パージガス:窒素ガス

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