装置詳細

【NPF025】スパッタ成膜装置(芝浦)

【NPF025】スパッタ成膜装置(芝浦)IMG
名称 【NPF025】スパッタ成膜装置(芝浦)
メーカー 芝浦メカトロニクス
課金額 2018年度単価表
導入年月日  
仕様 高周波励起によりArプラズマを発生させて成膜材料へ衝突させることにより、基板へ均質緻密な膜をスパッタします。ロードロック室付なので基板交換を効率良く迅速に行えます。3種までの材料を逐次多重成膜することが出来ます(手動)。内1台は強力な磁石を組み込んであり、強磁性材料に対しても高レートの成膜を可能としています。真空システムと基板搬送は自動化してあり、操作パネル上で手軽に操作出来ます。
●型式:CFS-4EP-LL、i-Miller
●スパッタ源:3インチマグネトロン×3式
●スパッタ電源:高周波自動調整 最大出力500 W(使用最大400 W)
●ロードロック室付
●基板テーブル:回転機構付、逆スパッタ、Φ200 mm
●ターゲット-基板間:85 mm
●加熱温度:最大300 ℃
●膜厚分布:±5%以内@膜厚2~3 kÅ、SiO2成膜時、Φ170 mm内
●到達真空度:2×10^-4 Pa
●反応ガス:Ar, O2, N2
●成膜時ガス圧:0.2~1 Pa
●常備ターゲット:金属・酸化物・窒化物等、60種

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