装置詳細

【NPF030】プラズマCVD薄膜堆積装置

【NPF030】プラズマCVD薄膜堆積装置IMG
名称 【NPF030】プラズマCVD薄膜堆積装置
メーカー サムコ
課金額 2018年度単価表
導入年月日  
仕様 本装置は液体ソースを用いたプラズマ化学気相成長装置であり、テトラエトキシシラン(TEOS)を原料として酸化シリコン膜を成膜することができます。
RF電源はオートマッチングシステムで制御され、投入パワーは最大300[W]となっています。
ステージ加熱機構は抵抗加熱方式となっており、最大400[℃]まで昇温が可能です。

電極間隔:25mm(上部電極:Al製、下部電極:SUS製)
ステージ加熱機構:抵抗加熱方式(MAX400[℃])
RF電源:13.56[MHz]水晶発振(MAX300[W] ソリッドステート方式)
導入ガス:C2F6(MAX100sccm),O2(MAX1000sccm),TEOS(MAX30sccm)
ガス噴出口:上部電極一体式シャワー状マニホールド
排気系:ロータリーポンプ+メカニカルブースターポンプ
オートプレッシャーコントローラー:コンダクタンス可変型
有効成膜範囲:φ220mm

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