装置詳細

【NPF036】集束イオン・電子ビーム観察加工装置(FIB-SEM)

【NPF036】集束イオン・電子ビーム観察加工装置(FIB-SEM)IMG
名称 【NPF036】集束イオン・電子ビーム観察加工装置(FIB-SEM)
メーカー エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社
課金額 2018年度単価表
導入年月日  
仕様 この装置はガリウムイオンビームとエレクトロンビームを集束・走査することで、SIM(Scanning Ion Microscopy) によるイオン励起二次電子像、及び 同一真空チャンバー内にあるFE-SEM(Field Emission-Scanning Electron Microscopy)による電子励起二次電子像や電子励起反射電子像の観察を行いながら、ガリウムイオンビームによる任意の箇所でのナノサイズ・マイクロサイズのミリング加工や、イオンビームアシスト・エレクトロンビームアシストによる任意の箇所でのカーボンやタングステンの化学気相成長を行うことができる。そのほか同一真空チャンバー内にあるツインマニュピレータプローブによる電圧印加とSIM観察やFE-SEM観察を行いながら、ボルテージコントラスト解析を行うことができます。

●型式: XVstion 200 DB
●イオン源: ガリウム液体金属イオン源
●電子銃: ショットキー電界放出型
●加速電圧: FIB (SIM) 1~30 kV, FE-SEM 1~30 kV
●像分解能: FIB (SIM) 4 nm @ 30kV, FE-SEM 3 nm @ 5kV
●検出器: Chamber SE検出器, In-Lens SE検出器, EsB反射電子検出器
●イオンビーム電流: 0.1nA~45nA
●ガス供給システム: カーボン(フェナントレン), タングステン(タングステンカルボニル)
●プローブシステム: ツインマニュピレータプローブ
●試料ステージ制御: 5軸ユーセントリックチルトステージ
●ステージ傾斜角度: 最大45°(ツインマニュピレータプローブ仕様のため)
●試料サイズ: 幅200mmφ以下, 高さ5mm以下 (高低差0.2mm以内)

PAGE TOP