装置詳細

【NPF081】プラズマCVD薄膜堆積装置(SiN)

【NPF081】プラズマCVD薄膜堆積装置(SiN)IMG
名称 【NPF081】プラズマCVD薄膜堆積装置(SiN)
メーカー サムコ
課金額 2018年度単価表
導入年月日 2017/07/01(土)
仕様 本装置は液体ソースを用いたプラズマ化学気相成長装置であり、TEOS原料からSiO2を、SN-2原料(液体有機ケイ素化合物)からSi3N4を成膜することができます。RF電源はオートマッチングシステムで制御され、投入パワーは最大300[W]となっています。ステージ加熱機構は抵抗加熱方式となっており、最大350[℃]まで昇温が可能です。

型式 : PD-220NS
電極間隔 : 25mm (上部電極 : Al製、下部電極:SUS製)
ステージ加熱機構 : 抵抗加熱方式 (MAX350[℃])
RF電源 : 13.56[MHz]水晶発振 (MAX300[W] )
導入ガス : C2F6(MAX100sccm)、O2(MAX1000sccm)、TEOS(MAX20sccm)、He(MAX500sccm)、SN-2(MAX10sccm)、N2(MAX1000sccm)
噴出口 : 上部電極一体式シャワー状マニホールド
排気系 : ターボ分子ポンプ+ロータリーポンプ、メカニカルブースターポンプ+ドライポンプ
オートプレッシャーコントローラー:コンダクタンス可変型
有効成膜範囲:φ220mm

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