装置詳細

【NPF082】化合物半導体エッチング装置(ICP-RIE)

【NPF082】化合物半導体エッチング装置(ICP-RIE)IMG
名称 【NPF082】化合物半導体エッチング装置(ICP-RIE)
メーカー サムコ
課金額 2018年度単価表
導入年月日 2017/08/01(火)
仕様 放電形式に誘導結合(Inductively Coupled Plasma:ICP)方式を採用し、各種材料の超微細加工を高速で行うことを目的とした反応性イオンエッチング装置です。本装置は、独自のトルネード型コイル電極の採用により、均一な高密度プラズマを発生させることが可能です。主に化合物半導体および各種金属膜などの高精度の異方性エッチングが可能です。

●型式: RIE-400iPS
●放電方式: 誘導結合式プラズマ(ICP)
●試料サイズ: 4インチウェハまで対応
●試料導入方式: ロードロック式
●ICP高周波電源: 最大1kW 、13.56MHz
●バイアス高周波電源: 最大300W、13.56MHz
●使用ガス: Cl2、BCl3、HBr、Ar、O2、CF4

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