装置詳細

【NPF089】赤外線ランプ拡散炉(RTA)

【NPF089】赤外線ランプ拡散炉(RTA)IMG
名称 【NPF089】赤外線ランプ拡散炉(RTA)
メーカー アルバック理工株式会社(現:アドバンス理工株式会社)
課金額 2018年度単価表
導入年月日 2003/03/27(木)
仕様 温度範囲 RT~1000℃
被加熱物 4"ウェーハ 1枚
雰囲気 ガスフロー(N2, Ar, O2), 真空中(到達真空度-4乗Pa台)
加熱方式 試料上面より放物面反射赤外線輻射加熱方式
加熱制御方式
プログラム起電力比較クローズドループ・コントロール方式(PID3項制御)
加熱範囲 約φ150 mm
最大加熱速度 20℃/sec(SiCサセプタ使用時は10℃/sec)
均熱精度 ΔT=10℃(@700℃保定時 N2ガスフロー中)
温度センサ 熱電対(シースR熱電対)

SiCサセプタを使用しているため,酸素雰囲気での加熱が可能。
試料は,小片~4インチウェーハまで対応。
本装置は,Si系デバイスのドーパント活性化・拡散熱処理を想定しているため,金属元素等の持込制限有り。
また、【NPF040】多目的RTA
と異なり,試料上面のみから加熱となるため,指示温度(サセプタに挿入したセンサの測定温度)と試料温度に差が生じやすくなります。温度差に関しては,試料のサイズ、光吸収率や熱伝導率、雰囲気によって変化します。

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