装置詳細
【NPF089】赤外線ランプ拡散炉(RTA)

名称 | 【NPF089】赤外線ランプ拡散炉(RTA) |
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メーカー | アルバック理工株式会社(現:アドバンス理工株式会社) |
課金額 | 2021年度単価表 |
導入年月日 | 2003/03/27(木) |
仕様 | 温度範囲 RT~1000℃ 被加熱物 4"ウェーハ 1枚 雰囲気 ガスフロー(N2, Ar, O2), 真空中(到達真空度-4乗Pa台) 加熱方式 試料上面より放物面反射赤外線輻射加熱方式 加熱制御方式 プログラム起電力比較クローズドループ・コントロール方式(PID3項制御) 加熱範囲 約φ150 mm 最大加熱速度 20℃/sec(SiCサセプタ使用時は10℃/sec) 均熱精度 ΔT=10℃(@700℃保定時 N2ガスフロー中) 温度センサ 熱電対(シースR熱電対) SiCサセプタを使用しているため,酸素雰囲気での加熱が可能。 試料は,小片~4インチウェーハまで対応。 本装置は,Si系デバイスのドーパント活性化・拡散熱処理を想定しているため,金属元素等の持込制限有り。 また、【NPF040】多目的RTA と異なり,試料上面のみから加熱となるため,指示温度(サセプタに挿入したセンサの測定温度)と試料温度に差が生じやすくなります。温度差に関しては,試料のサイズ、光吸収率や熱伝導率、雰囲気によって変化します。 |