装置詳細

【NPF019】多目的エッチング装置(ICP-RIE)

【NPF019】多目的エッチング装置(ICP-RIE)IMG
名称 【NPF019】多目的エッチング装置(ICP-RIE)
メーカー サムコ
課金額 2018年度単価表
導入年月日  
仕様 放電形式に誘導結合(Inductively Coupled Plasma:ICP)方式を採用し、各種材料の超微細加工を高速で行うことを目的とした研究開発用のロードロック式エッチング装置です。本装置では、独自のトルネード型コイル電極の採用により、安定した高密度プラズマを効率よく発生させ、主にシリコンおよび酸化シリコン膜などの高精度の異方性エッチングが可能です。また、シリコンの深堀りも可能です。

●放電方式: 誘導結合式プラズマ(ICP)
●試料サイズ: 4インチウェハまで対応
●試料導入方式: ロードロック式
●試料温度制御: -18℃~常温
●ICP高周波電源: 最大1kW 、13.56MHz
●バイアス高周波電源: 最大300W、13.56MHz
●使用ガス: SF6、CHF3、CF4、Ar、O2

PAGE TOP