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平成28年度実践セミナー 『薄膜実践セミナー�U』

last updated 2016.9.30
 
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開催日・場所・参加費・定員

【日時】2016年11月15日(火)12:55−17:00

【場所】産業技術総合研究所 つくば中央第2事業所 2−12棟 第6会議室

【参加費】無料

【定員】90名(先着順、参加登録をお願い致します)

講演

12:55 開会

12:55−13:00 はじめに

産業技術総合研究所 共用施設ステーション 多田 哲也

13:00−13:40 「スパッタリングで作る機能性超格子薄膜とその応用
                                 〜相変化メモリからトポロジカル絶縁体まで〜」

産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門 富永 淳二

13:40−14:20 「機能性酸化物材料のスパッタリング」

株式会社アルバック超材料研究所 水野 雄介

14:20−14:50 「スパッタリング法によるMgNbAlN圧電薄膜の開発」

産業技術総合研究所 製造技術研究部門 上原 雅人


14:50−15:10 休憩(オーサーズインタビュー)


15:10−15:40 「プラズマCVDを用いたグラフェンの合成、評価、デバイス応用」

産業技術総合研究所 ナノ材料研究部門 沖川 侑揮

15:40−16:10 「2次元層状半導体MoS2のMOSFET応用」

産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門 森 貴洋

16:10−16:25 「ナノプローバーによるHall効果測定」

産業技術総合研究所 ナノプロセシング施設(NPF) 大塚 照久

16:25−16:40 「原子層堆積(ALD)装置の利用事例
                                 〜Al2O3ゲート絶縁膜、TiO2酸化物チャンネル、NbN超伝導膜〜」

産業技術総合研究所 ナノプロセシング施設(NPF) 山崎 将嗣


16:40−17:00 オーサーズインタビュー


17:00 閉会