ナノプラ

平成29年度実践セミナー 『薄膜実践セミナーⅢ』

開催日・場所・参加費・定員
【日時】2017年11月30日(木)12:55 - 17:20
【場所】産業技術総合研究所つくば中央 本部・情報棟1Fネットワーク会議室
【参加費】無料
【定員】100名(先着順、参加登録をお願い致します)
講演

12:55−13:00 はじめに

産総研 共用施設ステーション 多田哲也

13:00-13:40 「スピントロニクスを支える高性能強磁性トンネル接合の多層膜開発 」

▼講演概要

産総研スピントロニクス研究センター 薬師寺啓

13:40-14:10 「ECRスパッタ成膜によるMIS構造形成」

▼講演概要

弘前大学大学院 小野俊郎

14:10-14:50 「酸化物系材料に向けたスパッタリング技術」

▼講演概要

株式会社ULVAC 白井雅紀

14:50-15:10 「RFスパッタ法による酸化物薄膜形成技術-堆積レート安定化の事例紹介-」

▼講演概要

産総研TIA推進センター 青柳昌宏

15:10-15:30 休憩(オーサーズインタビュー)

15:30-16:10 「原子層堆積技術の概観と最近の開発状況」

オックスフォードインストゥルメンツ株式会社 伊藤昌平

16:10-16:40 「ALDプリカーサーの開発と近年の動向」

▼講演概要

日本エア・リキード株式会社 柳田和孝

16:40-17:00 「NPFの原子層堆積(ALD)装置による成膜紹介 ~Al2O3ゲート絶縁膜、TiO2酸化物チャンネル、ZrO2成膜~」

▼講演概要

産総研ナノプロセシング施設 山崎将嗣

17:00-17:20 オーサーズ・インタビュー